[发明专利]一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法在审
申请号: | 201811586333.1 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109599326A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 赵杰;徐涛 | 申请(专利权)人: | 天津市耀宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300000 天津市东丽区华*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法,涉及氮化镓晶体表面处理技术领域,包括以下步骤:步骤1)、固定:步骤2)、抛光:步骤3)、表面硫醇处理。本发明方法简单实用,通过氮化镓的表面进行处理,去除氮化镓表面的天然氧化层,降低氮化镓与栅介质层、阻挡层之间的界面缺陷,降低漏电流,提升氮化镓的可靠性,通过硫醇的处理可以在氮化镓表面形成保护膜,防止氮化镓表面处理过后暴露在空气中发生再氧化,效的提高氮化镓的整体性能,延长了其整体使用寿命,在抛光的同时采用紫外线灯由上至下照射在晶体表面,可加速氧化剂与氮化镓晶片表面的化学反应速率,使晶片表面粗糙度降低,并能提高抛光速率。 | ||
搜索关键词: | 氮化镓 氮化镓晶体表面 氮化镓表面 抛光 硫醇 整体使用寿命 化学反应 氧化剂 氮化镓晶片 天然氧化层 界面缺陷 晶片表面 晶体表面 栅介质层 紫外线灯 保护膜 粗糙度 漏电流 再氧化 阻挡层 去除 照射 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1)、固定:S1、将氮化镓晶体通过石蜡固定在石英板上,除去多余石蜡,使得石蜡与石英板的便于留有2mol/L的距离;S2、将抛光垫贴在抛光盘上,利用环形压块将固定有氮化镓晶体的石英板压在抛光垫上。步骤2)、抛光:A1、通过电加热器对抛光液进行加热,同时向抛光液中添加磨料;A2、启动抛光机使抛光盘旋转进而带动氮化镓晶体以及环形压块进行旋转抛光。步骤3)、表面硫醇处理:B1、将抛光后的氮化镓晶体取出并依次使用丙酮、乙醇、清洗其表面;B2、将清洗后的氮化镓晶体放入盐酸溶液中浸泡,浸泡后采用去离子水冲洗后经氮气干燥处理;B3、将干燥后氮化镓晶体再次放入溶有硫醇的乙醇溶液中进行浸泡,浸泡后采用乙醇溶液进行超声清洗,同时通过氮气干燥;B4、将干燥后的氮化镓晶体放入反应离子刻蚀机的反应室内,同时经反应室抽成真空状,待气压小于8.0×10‑5托后,用氟等离子体对晶体表面进行处理,完成氮化镓晶体表面颗粒浓度降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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