[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板有效
申请号: | 201811587013.8 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109713044B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 杨凤云;卓恩宗 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制作方法和显示面板。薄膜晶体管包括衬底、第一金属层、第一绝缘层、有源层、掺杂层和第二金属层,其中所述第一金属层设置在所述衬底上;所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上;所述有源层设置在所述第一绝缘层上;所述掺杂层设置在所述有源层上;所述第二金属层设置在所述掺杂层上;所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层,所述N为大于或等于三的奇数,所述子掺杂层层叠设置,以中间的子掺杂层为对称轴,对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。在大于等于三的奇数层的子掺杂层中,对称结构的掺杂层降漏电效果最好。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括:衬底;第一金属层,设置在所述衬底上;第一绝缘层,设置在所述第一金属层上;有源层,设置在所述第一绝缘层上;掺杂层,设置在所述有源层上;以及第二金属层,设置在所述掺杂层上;其中,所述掺杂层包括数量为N的子掺杂层,所述N为大于或等于三的奇数,所述子掺杂层层叠设置,以中间的子掺杂层为对称轴,对称轴两侧相对应的子掺杂层掺杂浓度相等。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811587013.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类