[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板在审
| 申请号： | 201811587017.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109742027A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨凤云;卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管和显示面板。薄膜晶体管的制作方法步骤包括在第一金属层上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积有源层；在有源层上沉积掺杂层；在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。掺杂层与有源层都是半导体，掺杂层体内的每个硅原子周围都有四对共价键，而处于掺杂层表面处的硅原子上方没有其他原子与该硅原子形成共价键，掺杂层表面就形成了一些悬挂键，悬挂键会破坏电子流动，而在掺杂层的表面通入氮气，氮气可以与悬挂键结合，令掺杂层的表面形成Si‑N键，形成的Si‑N键要更稳定，使悬挂键饱和，减少掺杂层表面处的缺陷态，降低漏电流，减小薄膜晶体管开关阈值电压的漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 薄膜晶体管 氮气 硅原子 悬挂键 沉积 源层 绝缘层 显示面板 表面处 共价键 制作 薄膜晶体管开关 第一金属层 悬挂键结合 漂移 表面形成 电子流动 阈值电压 漏电流 缺陷态 减小 薄膜 半导体 饱和 体内 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：在第一金属层上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积有源层；在有源层上沉积掺杂层；在掺杂层的表面通入氮气形成第一薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司，未经惠科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811587017.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
