[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法和显示面板在审
| 申请号： | 201811587237.9 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109727875A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 葛邦同 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法和显示面板，所述薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成非晶硅薄膜层；图形化非晶硅薄膜层形成非晶硅层；在非晶硅层上形成二硅化镍(NiSi2)材质的金属种子层；所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层；形成源漏极层。有效降低薄膜晶体管沟道中残留的金属，有效缩短结晶退火时间，可制备高质量性能稳定的低温多晶硅显示面板的薄膜晶体管(LTPS TFT,Low Temperature Poly‑Si Thin Film Transistor)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 非晶硅层 显示面板 非晶硅薄膜层 金属种子层 衬底 制作 薄膜晶体管沟道 退火 低温多晶硅 多晶硅层 二硅化镍 退火处理 诱导作用 图形化 源漏极 制备 残留 金属 转化 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成非晶硅薄膜层；图形化所述非晶硅薄膜层形成非晶硅层；在所述非晶硅层上形成二硅化镍材质的金属种子层；以及所述非晶硅层在所述金属种子层的诱导作用下以及退火处理转化为多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司，未经惠科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811587237.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：主动开关及其制作方法、显示装置
- 下一篇：芯片封装及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
