[发明专利]一种碳化硅晶块的制备装置、碳化硅晶块及其制备方法

摘要

本发明涉及碳化硅晶体加工领域，具体涉及一种碳化硅晶块的制备装置、碳化硅晶块及其制备方法。本发明公开了一种碳化硅晶块的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硅原料加入石墨容器中，所述石墨容器由多个子石墨容器沿石墨容器的高度方向叠置得到，所述多个子石墨容器叠置形成有多个容纳腔室，至少两个所述子石墨容器中含有所述碳化硅原料形成的碳化硅原料层；S2、将含有碳化硅原料的石墨容器置于石墨加热器中，加热，使碳化硅原料分解、沉积得到碳化硅晶块；含有碳化硅原料层的每个所述子石墨容器中的碳化硅原料层的厚度分别独立地为10‑50mm，所述碳化硅原料层的上表面距子石墨容器的顶壁的距离分别独立地为10‑30mm。