[发明专利]高温退火时保护功率器件金属接触的方法和金属接触结构在审
| 申请号： | 201811590606.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109817586A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;高秀秀;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/02;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高温退火时保护功率器件金属接触的方法，在退火前在基底表面以及阳极金属表面沉积一层绝缘介质层，再在绝缘介质层上沉积一层钝化层；在退火后，对所属绝缘介质层和钝化层进行开孔，暴露出所述阳极金属；所述高温退火的温度在500°以上。该方法能够防止退火炉等芯片制造机台中存在的颗粒交叉污染，提高欧姆接触或肖特基接触金属、欧姆接触或肖特基接触金属以外的碳化硅表面区域的洁净度，减少器件表面态，让器件的欧姆接触或者肖特基接触更趋于理想状态，提高产品的稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基接触 高温退火 欧姆接触 退火 绝缘介质层 功率器件 金属接触 阳极金属 钝化层 机台 金属接触结构 金属 碳化硅表面 表面沉积 基底表面 交叉污染 理想状态 器件表面 芯片制造 层绝缘 洁净度 介质层 退火炉 开孔 良率 沉积 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种高温退火时保护功率器件金属接触的方法，其特征在于：在退火前在基底表面以及阳极金属表面沉积一层绝缘介质层，再在绝缘介质层上沉积一层钝化层；在退火后，对所属绝缘介质层和钝化层进行开孔，暴露出所述阳极金属；所述高温退火的温度在500°以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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