[发明专利]单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811590959.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109638103A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;吴小元;何学勇;梁栋;王月斌;徐昕;王磊;彭德香;周浪 | 申请（专利权）人： | 中智（泰兴）电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0745 | 分类号： | H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 张斌 |
| 地址： | 225400 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构，其特征在于：硅片结构的迎光面和背光面结构不同，所述迎光面为金字塔绒面结构，所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。全过程采用链式清洗机制绒方式，在槽式制绒后采用湿化学刻蚀的方法对背光面进行刻蚀，实现金字塔绒面结构的增大或者抛光，然后进行RCA清洗、HF去自然氧化层和慢提拉、烘干。针对双面进光特性的不同对迎光面和背光面绒面结构分别进行设计，并解决差异化的绒面结构的生产制造问题，提供一种简化工艺，能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。 | ||
| 搜索关键词： | 绒面结构 背光面 金字塔绒面结构 差异化 迎光面 异质结太阳电池 单晶硅 刻蚀 自然氧化层 短路电流 复合损耗 硅片结构 抛光 背表面 光特性 抛光面 湿化学 烘干 槽式 链式 提拉 制绒 制备 生产成本 清洗 节约 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构，其特征在于：硅片结构的迎光面和背光面结构不同，所述迎光面为金字塔绒面结构，所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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