[发明专利]减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法有效
申请号: | 201811591031.3 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110310904B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | 实井祐介;西冈贤太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B05D3/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种在减压干燥装置中以与期望的减压速度更接近的减压速度来进行减压处理的减压干燥装置、基板处理装置及减压干燥方法。所述减压干燥装置通过在腔室内收容附着有处理液的基板并对腔室内进行减压,而使基板干燥。减压干燥装置具有腔室、减压排气部、对减压排气的流量进行调节的阀、对腔室内的压力进行测量的测量部及控制部。控制部的动作控制部包括:初始开度设定部,在各处理期间的起点将阀开度设为基准开度;以及反馈控制部,基于测量部所测量的测量压力值进行包含比例控制的反馈控制。反馈控制部在进行使阀开度大于基准开度的控制的第1状态下,根据目标压力值或测量压力值来变更比例控制系数。 | ||
搜索关键词: | 减压 干燥 装置 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种减压干燥装置,对附着有处理液的基板进行减压干燥,所述减压干燥装置包括:腔室,收容所述基板;减压排气部,对所述腔室内进行减压排气;阀,设置于所述腔室与所述减压排气部之间,通过阀开度对减压排气的流量进行调节;测量部,对所述腔室内的压力进行测量;以及控制部,分别与所述腔室、所述减压排气部、所述阀、所述测量部电性连接,所述控制部具有:动作控制部,在执行减压干燥处理时,基于多个处理期间的每一个的目标压力值及目标到达时间,对所述阀开度进行控制,所述动作控制部包括:初始开度设定部,在各处理期间的起点将所述阀开度设为基准开度;以及反馈控制部,基于所述测量部所测量的测量压力值,通过包含比例控制的反馈控制对所述阀开度进行控制,所述反馈控制部在进行使所述阀开度大于所述基准开度的控制的第1状态下,根据所述目标压力值或所述测量压力值来变更比例控制系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造