[发明专利]柔性衬底的薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于微电子器件领域，具体要求保护一种利用溶液法与异质结导电原理的低成本薄膜晶体管及其制备方法。该器件以柔性材料为基底，在上面设置有基于溶液法制备的栅极、绝缘层、异质结半导体层与源、漏电极。其中栅、源、漏三电极成份皆为由水溶液法制备的ITO材料，并且利用改变亲水性方法来将栅极图案化。绝缘层成份为水溶液法制备的Al₂O₃/ZrO2叠层，并且通过掺杂Li元素来提高介电常数，起到提高整个器件性能的作用。半导体层为ZnO/In2O3叠层，这种结构可以形成异质结，基于二维电子气原理来提高电子迁移率。整个制备工艺可在非真空大气条件下进行，并且温度不超过200度，生产成本较低，同时全器件为透明器件，可在光学领域中有重要应用。

主权项

1.一种柔性衬底的薄膜晶体管制备方法，所述薄膜晶体管包括柔性绝缘衬底，栅电极，绝缘层，半导体层，源电极和漏电极，其制备方法包括：(1)在柔性绝缘衬底的上表面形成图案化栅电极；(2)配制水为溶剂的绝缘层前驱体水溶液，然后用旋涂法在栅电极和柔性绝缘衬底上覆盖形成绝缘层；(3)配制水为溶剂的半导体层前驱体水溶液，然后用旋涂法在所述绝缘层上形成半导体层；(4)在所述半导体层上表面分别形成源电极和漏电极。