[发明专利]一种镍钴双金属氢氧化物纳米片上花及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811592305.0 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109650465B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 周艳萍;黄卡玛;吴丽;朱铧丞;杨阳;陈倩 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C01G53/04 分类号: C01G53/04;B82Y40/00;B82Y30/00;H01G11/30;H01G11/26;H01G11/86
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 苗艳荣
地址: 610065 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种镍钴层状双金属氢氧化物纳米片上花及其制备方法,该纳米片上花以Co(NO3)2、Ni(NO3)2和尿素为原料,其具有二维纳米片和三维纳米花结构,且三维纳米花锚定在二维纳米片上。本发明的方法通过改变微波辐射功率和乙二醇含量来调控NiCo LDHs的结构,当辐射功率在200W,乙二醇含量为40%时,能够得到具有循环稳定性好且存储容量较高的NiCo LDHs纳米片上花。
搜索关键词: 一种 双金属 氢氧化物 纳米 片上花 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种镍钴层状双金属氢氧化物纳米片上花,其特征在于,该纳米片上花以Co(NO3)2、Ni(NO3)2和尿素为原料,其具有二维纳米片和三维纳米花结构,且三维纳米花锚定在二维纳米片上。
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