[发明专利]高开口面积临界角透射光栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，包括以下步骤：S1、制备掩模板；S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上得到基准光栅；S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，曝光显影后得到支撑结构；S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光；S5、然后经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。本发明的制备方法，通过扫描干涉场曝光方法，可实现高精度的双面曝光，为双面刻蚀制备相位双面匹配精度高的掩模图形，从而减小了展宽面积。

主权项

1.一种高开口面积临界角透射光栅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备掩模板；S2、在单晶硅基底双面沉积氮化硅层，然后在部分区域的氮化硅层表面旋涂光刻胶，将掩膜板对准单晶硅基底，分别经两面曝光显影后，将掩模板中的图形转移到单晶硅基底上，再经干法刻蚀氮化硅层、湿法刻蚀单晶硅后，即得基准光栅；S3、在单晶硅基底远离基准光栅的区域双面镀铬，再双面旋涂光刻胶，经紫外曝光、显影后，湿法刻蚀铬，得到支撑结构；S4、将单晶硅基底的支撑结构双面旋涂光刻胶后，然后双面曝光，每面曝光具体为：将硅基底单晶硅基底固定在扫描干涉场曝光系统工作台上，使扫描干涉场曝光系统的两束曝光光束入射至基准光栅上，调整工作台使两束曝光光束形成的干涉条纹与基准光栅栅线方向平行，保持曝光光束入射基准光栅状态不变，将扫描干涉场曝光系统中的相位锁定切换为动态相位锁定模式，然后对旋涂光刻胶的区域进行曝光；S5、然后对S4中曝光后的单晶硅基底显影后，经干法刻蚀氮化硅层，湿法刻蚀单晶硅，最后去除氮化硅层，即得透射光栅。