[发明专利]一种移动终端的音频信号处理方法、移动终端及存储介质有效
申请号: | 201811592915.0 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109714691B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 蒋权 | 申请(专利权)人: | 努比亚技术有限公司 |
主分类号: | H04R25/00 | 分类号: | H04R25/00 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人: | 刘大弯 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山区高新区北环大道9018*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种移动终端,包括:编译解码器,编译解码器的音频输出正端分别与第NMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管的漏极连接,编译解码器的音频输出负端分别与HAC电感的一端、匹配电阻的一端、及扬声器听筒联合组件的一端分别连接,第一NMOS管的源极与HAC电感的另一端连接,第二NMOS管的源极与匹配电阻的另一端连接,第三NMOS管与扬声器听筒联合组件的另一端连接,第一GPIO接口与第一NMOS管的栅极连接,第二GPIO接口与第二NMOS管的栅极连接,第三GPIO接口与第三NMOS管的栅极连接,音频输出正端与音频输出负端分别与AB类放大器及D类放大器连接。此外,本发明还公开一种移动终端的音频信号处理方法及存储介质。本发明实施例公开的移动终端,能够提高音频性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 移动 终端 音频 信号 处理 方法 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种移动终端,其特征在于,包括:编译解码器,所述编译解码器的音频输出正端分别与第一N型金属氧化物半导体NMOS场效应晶体管的漏极、第二NMOS场效应晶体管的漏极及第三NMOS场效应晶体管的漏极连接,所述编译解码器的音频输出负端分别与助听兼容HAC电感的一端、匹配电阻的一端、及扬声器听筒联合组件的一端分别连接,所述第一NMOS场效应晶体管的源极与所述HAC电感的另一端连接,所述第二NMOS场效应晶体管的源极与所述匹配电阻的另一端连接,所述第三NMOS场效应晶体管与所述扬声器听筒联合组件的另一端连接,所述编译解码器的第一通用输入输出GPIO接口与所述第一NMOS场效应晶体管的栅极连接,所述编译解码器的第二GPIO接口与所述第二NMOS场效应晶体管的栅极连接,所述编译解码器的第三GPIO接口与所述第三NMOS场效应晶体管的栅极连接,所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端分别与AB类放大器连接,所述编译解码器的所述音频输出正端与所述音频输出负端还分别与D类放大器连接。
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