[发明专利]带有导流挡板的磁屏蔽霍尔离子源及其电离方法有效

专利信息
申请号: 201811593500.5 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN109686639B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 魏立秋;唐井峰;丁永杰;李文博;杨鑫勇;卢惠民;于达仁 申请(专利权)人: 哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院
主分类号: H01J27/14 分类号: H01J27/14;H01J27/02
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 周娇娇
地址: 414000 湖南省岳阳市城陵*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种带有导流挡板的磁屏蔽霍尔离子源及其电离方法,其中磁屏蔽霍尔离子源包括电磁铁、设有电离通道的导磁管体、阳极、阴极、气体工质导管和电源,电离通道的底端封堵,另一端为带有扩口设置的开口端,阳极设置在电离通道的底端,阴极远离阳极并设置在电离通道的开口端外侧,在电离通道的周向内壁面上设置导流挡板。本发明通过在霍尔离子源的电离通道内壁面上的近阳极区和电离区交界处设置导流挡板,使得通道壁面附近的中性工质能够向电子密度较高的通道中心区域聚集,减少气体工质通过近壁面区域未经充分的电离便流出通道的情况。本发明的电离方法通过选择最优的导流挡板的设置,提高了电离效率。
搜索关键词: 带有 导流 挡板 屏蔽 霍尔 离子源 及其 电离 方法
【主权项】:
1.一种带有导流挡板的磁屏蔽霍尔离子源,包括电磁铁、设有电离通道的导磁管体、阳极、阴极、气体工质导管和电源,其特征在于:所述电离通道的底端封堵,所述电离通道的另一端为带有扩口设置的开口端,所述阳极设置在所述电离通道的底端,所述阴极远离所述阳极并设置在所述电离通道的开口端外侧,所述电离通道的周向内壁面上设置有至少一个导流挡板以使气体工质向电离通道的中心区域聚集。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院,未经哈工大机器人(岳阳)军民融合研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811593500.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top