[发明专利]一种AMR传感器结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811594061.X | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109781149A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王志广;胡忠强;周子尧;温涛;苏玮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种AMR传感器结构及其制造方法，一种AMR传感器结构，包括第一导电材料、第二导电材料和磁阻条；包括提供一个Si基底，并对Si基底进行预处理；利用光刻、剥离技术在基底上形成第一预定义图形；利用磁控溅射薄膜生长技术生长磁性长条，在生长磁阻条时外加偏置磁场，引入附加磁各向异性能；利用丙酮超声清洗，去除多余的磁性薄膜；利用光刻、剥离技术在基底上形成第二预定义图形；利用磁控溅射薄膜生长技术生长惠斯通电桥；利用丙酮超声清洗，去除多余的导电金属薄膜。增大了磁阻条工作面积，避免了巴贝电极边缘电流的影响，降低了加工过程对精度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 磁阻 剥离技术 薄膜生长 丙酮超声 磁控溅射 导电材料 技术生长 预定义 光刻 去除 清洗 预处理 磁各向异性能 导电金属薄膜 惠斯通电桥 磁性薄膜 磁性长条 电极边缘 偏置磁场 制造 生长 引入 | ||
【主权项】：
1.一种AMR传感器结构，其特征在于，包括第一导电材料(1)、第二导电材料(2)和磁阻条(3)；四个第一导电材料(1)成四宫格状分布，若干磁阻条(3)平行等间距设置，相邻的两个磁阻条(3)之间的端部通过第二导电材料(2)连接，使若干磁阻条(3)形成S型串联结构；相邻的第一导电材料(1)之间均设置有S型串联结构，形成惠斯通电桥，S型串联结构端部的磁阻条(3)与第一导电材料(1)连接。
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