[发明专利]一种应变传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811594232.9 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109612383B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 方英;李红变;史济东;吕苏叶 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应变传感器及其制备方法。该应变传感器包括柔性基底、导电薄膜、第一电极以及第二电极，柔性基底的一侧具有多个凹坑状微结构，导电薄膜位于具有多个凹坑状微结构的柔性基底一侧，导电薄膜背离柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相同的起伏结构，导电薄膜靠近柔性基底的一侧表面具有与多个凹坑状微结构相应的凸起结构，第一电极和第二电极均设置于导电薄膜背离柔性基底的一侧，且第一电极和第二电极分别设置于导电薄膜的相对两端。本发明实施例提供的应变传感器既具有较宽的检测范围，又具有较高的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应变传感器，其特征在于，包括柔性基底、导电薄膜、第一电极以及第二电极；所述柔性基底的一侧具有多个凹坑状微结构；所述导电薄膜位于具有多个凹坑状微结构的所述柔性基底一侧，所述导电薄膜背离所述柔性基底的一侧表面具有与所述多个凹坑状微结构相同的起伏结构；所述导电薄膜靠近所述柔性基底的一侧表面具有与所述多个凹坑状微结构相应的凸起结构；所述第一电极和所述第二电极均设置于所述导电薄膜背离所述柔性基底的一侧，且所述第一电极和所述第二电极分别设置于所述导电薄膜的相对两端。
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