[发明专利]多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片

摘要

本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成，方形APD由尺寸更小的圆形且具有相等光电特性小单元APD并联而成。四个方形光敏探测区，能对连续或低频脉冲激光信号进行坐标定位探测，方形APD光敏探测之间通过刻蚀槽和背面进光面金属膜层遮挡方式隔离四个光敏探测区，其能有效消除光敏探测区之间产生的电学、光学串扰，同时保证不会产生过大的盲区。本发明可实现高成品率、大面积InGaAs雪崩二极管四象限芯片的制作。

主权项

1.一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片，其特征在于，包括：铟镓砷外延晶片，其上中心对称分布有四个方形的光敏探测区；铟镓砷外延晶片正面，每个光敏探测区内形成有p电极6，背面进光面形成有n电极16；p电极6覆盖下的每个光敏探测区内形成有多个小单元APD9；铟镓砷外延晶片正面的四个光敏探测区pn结之间设有隔离槽5进行电学隔离，铟镓砷外延晶片背面进光面的四个光敏探测区pn结之间设有隔离电极18进行电学隔离，背面进光面与正面四个光敏探测区一一对应的位置设有氮化硅增透膜17，n电极16和隔离电极18为同一材料的多层金属电极。