[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811597724.3 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110854187A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谷口智洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体元件具备：半导体层和金属电极。上述金属电极设置于上述半导体层上，包含接触上述半导体层的第1金属区域，设置于上述第1金属区域之上的第2金属区域，设置于上述第2金属区域之上的第3金属区域。上述第2金属区域将氧化物的标准生成自由能量比作为上述第1金属区域的主成分的金属元素大的金属元素以为主成分。上述第3金属区域具有，比从上述半导体层朝向上述第2金属区域的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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