[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811597948.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109599434A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 尹江龙;章剑锋;黄玉恩 | 申请（专利权）人： | 瑞能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 段月欣 |
| 地址： | 330200 江西省南昌市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个N+掺杂区设置的P基区，相邻的P基区彼此间隔；第二电极层包括源电极及栅电极，源电极对应并连接N+掺杂区及P基区设置，栅电极对应N+掺杂区、P基区及相邻P基区之间的N‑型漂移区设置，且栅电极与N‑型漂移区及源极结构之间通过栅氧化层连接；在栅氧化层与N‑型漂移区之间设置有AlxGa1‑xN层，AlxGa1‑xN层对应并连接N‑型漂移区，0＜x≤1。本发明提供的半导体器件具有改善的积累层电阻及较高的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 基区 掺杂区 半导体器件 源极结构 栅电极 第二电极 栅氧化层 源电极 第一电极 工作效率 依次层叠 衬底层 积累层 电阻 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极层、衬底层、N‑型漂移区、源极结构及第二电极层；所述源极结构包括相互独立的N+掺杂区，以及环绕每个所述N+掺杂区设置的P基区，相邻的所述P基区彼此间隔；所述第二电极层包括源电极及栅电极，所述源电极对应并连接所述N+掺杂区及所述P基区设置，所述栅电极对应所述N+掺杂区、所述P基区及相邻所述P基区之间的N‑型漂移区设置，且所述栅电极与所述N‑型漂移区及所述源极结构之间通过栅氧化层连接；在所述栅氧化层与所述N‑型漂移区之间设置有AlxGa1‑xN层，所述AlxGa1‑xN层对应并连接所述N‑型漂移区，0＜x≤1。
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