[发明专利]一种二维纳米薄片状碳化铌的制备方法有效
| 申请号： | 201811598079.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109455719B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高伟;孙多;张晨;殷红 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C01B32/914 | 分类号： | C01B32/914;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李荣武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 此发明涉及一种二维纳米薄片状碳化铌的制备方法，属于无机纳米材料的制备领域。制备方法采用直流电弧等离子体放电法；制备条件是高温低压；制备过程是将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨压片，放入直流电弧反应腔室内，调整好阴阳两极距离，在特定条件(氩气、气压10‑40kPa和电流95‑105A等)下起弧、反应、冷却钝化后，既在阳极石墨锅下沿处获得长50‑120nm、宽40‑100nm的二维薄片状碳化铌。本发明制备工艺简单、耗材少、重复性高，同时又能保证样品产率与纯净度。制备的薄片状碳化铌形状规则、尺寸均一，可用作某些特定的场发射阴极材料，具有良好应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 薄片 碳化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维纳米薄片状碳化铌的制备方法，其特征在于：在直流电弧等离子体放电装置中，首先将摩尔比1:1的高纯碳粉和铌粉均匀混合研磨并压制成圆柱形薄片，放入定制的与之契合的石墨锅中，阴极钨棒位于仪器内部的左方，与右方的阳极石墨锅的轴线重合，调节阴阳两极距离至适当位置，其次，向水冷系统(阴阳两极和冷凝壁套筒)通入循环冷却水，向密封反应腔室通入氩气，最后，设置电流区间为95‑105A，起弧反应后切断电源，继续冷却钝化直至室温，既在阳极石墨锅下沿处得到纯净的二维纳米薄片状碳化铌。
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