[发明专利]一种晶圆级混合键合的方法有效
| 申请号： | 201811598991.2 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109671619B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李梦 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆级混合键合的方法，包括以下步骤：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在晶圆的表面沉积一层第一介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；在图形结构中填充金属，形成金属层图形；对晶圆表面进行平坦化处理，使第一介质层与金属层表面齐平；在整个晶圆表面沉积一层保护层；在保护层表面沉积一层第二介质层；去除位于金属层图形上方位置上的第二介质层，露出下方的保护层；继续去除下方露出的保护层，露出金属层；执行对两片晶圆的混合键合。本发明完全避开了传统CMP方法对介质层粗糙度高要求的不利影响，有效克服了以往CMP方法引入的刮伤，以及研磨液残留导致缺陷及良率低的问题，且工艺成熟，简单可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 混合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级混合键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在所述晶圆的表面沉积一层第一介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；步骤S02：在所述图形结构中填充金属，形成金属层图形；步骤S03：对所述晶圆表面进行平坦化处理，使第一介质层与金属层表面齐平；步骤S04：在整个所述晶圆表面沉积一层保护层；步骤S05：在所述保护层表面沉积一层第二介质层；步骤S06：去除位于所述金属层图形上方位置上的第二介质层，露出下方的所述保护层；步骤S07：继续去除下方露出的所述保护层，露出所述金属层；步骤S08：执行对两片所述晶圆的混合键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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