[发明专利]一种实现混合键合的方法在审
| 申请号： | 201811598998.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109686711A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李梦 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现混合键合的方法，包括以下步骤：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在晶圆的表面沉积一层介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；在图形结构中填充金属，形成金属层图形；对晶圆表面进行平坦化处理，使介质层与金属层表面齐平；对晶圆进行氧化处理，使得金属层表面被氧化，而形成金属氧化物层；去除金属氧化物层，相应地在金属层位置形成低于介质层的高度差；执行对两片晶圆的混合键合。本发明完全避开了CMP方法对介质层粗糙度高要求的不利影响，有效克服了CMP方法引入的刮伤，以及研磨液残留导致缺陷及良率低的问题；采用化学氧化方法形成金属氧化物，实验简单可控，利用酸处理洗去金属氧化物，简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 混合键合 介质层 晶圆 金属氧化物层 金属层表面 金属氧化物 图形结构 金属层图形 平坦化处理 图形化处理 表面沉积 化学氧化 晶圆表面 填充金属 氧化处理 粗糙度 高度差 金属层 酸处理 研磨液 衬底 刮伤 可控 良率 片晶 齐平 去除 半导体 避开 残留 引入 | ||
【主权项】：
1.一种实现混合键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供两片待混合键合的半导体衬底晶圆，在所述晶圆的表面沉积一层介质层，并进行图形化处理，形成图形结构；步骤S02：在所述图形结构中填充金属，形成金属层图形；步骤S03：对所述晶圆表面进行平坦化处理，使介质层与金属层表面齐平；步骤S04：对所述晶圆进行氧化处理，使得金属层表面被氧化，而形成金属氧化物层；步骤S05：去除所述金属氧化物层，相应地在金属层位置形成低于介质层的高度差；步骤S06：执行对两片所述晶圆的混合键合。
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