[发明专利]一种晶圆高速旋转真空吸附主轴在审
申请号: | 201811599206.5 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109461692A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 魏猛;张爽 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯达科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 孙奇 |
地址: | 110180 辽宁省沈阳*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开涉及用以半导体晶圆上获得均布光刻胶及光刻胶图形的涂胶显影过程的处理设备。其具有使晶圆在高速旋转时稳定的吸附于一固定平台上的功能。晶圆高速旋转真空吸附主轴以下称为主轴。具体结构为:一根一端开放的空心轴,开放端与晶圆支撑平台连接,内设气孔与真空通道连接,通道用特制自复位密封圈密封,防止大气与真空通道连通。此结构在主轴转速6000转每分钟加速度4万转情况下,真空压力可以达到负80kpa以上。密封圈特制的加力结构可以精确有效的控制密封圈摩擦力,减少摩擦发热及磨损,增加密封圈寿命,单圈使用寿命30万小时以上。 | ||
搜索关键词: | 晶圆 密封圈 真空通道 真空吸附 半导体晶圆 光刻胶图形 密封圈密封 密封圈寿命 处理设备 固定平台 加力结构 减少摩擦 使用寿命 显影过程 一端开放 真空压力 支撑平台 主轴转速 开放端 空心轴 自复位 布光 单圈 涂胶 吸附 种晶 磨损 连通 发热 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆高速旋转真空吸附主轴,其特征在于:包括主轴、密封圈法兰a、密封圈法兰b和自复位密封圈;所述主轴一侧设有真空通道,且端面为开放端,与晶圆支撑平台连接,另一侧与电机相连;所述密封圈法兰b相对位置开有真空通道连接口,自复位密封圈设置在真空通道连接口上,用于密封真空通道,防止真空通道与大气相通;所述主轴的真空通道下部周围开有气孔,用来与真空通道连接口连接;所述密封圈法兰b设置在主轴上,密封圈法兰a通过螺栓固定在密封圈法兰b槽内,且顶在自复位密封圈两端;所述密封圈法兰a和密封圈法兰b上纵向对称分别设有惰性气体连接口和真空连接口;所述自复位密封圈采用惰性气体调节需密封面接触力,用于精确控制密封效果;通过自复位密封圈接口连接的传感器反馈自复位密封圈的压力值,在三通比例阀的控制下闭环控制一个或多个设定压力,使密封圈始终处在一个根据实际需要规定的密封效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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