[发明专利]磷等电子掺杂的六方氮化硼及其制备方法有效
| 申请号： | 201811599932.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111363544B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵昱;王浩;王文龙;白雪冬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磷等电子掺杂的六方氮化硼及其制备方法，属于材料领域。该方法利用同时含有硼元素和磷元素的材料作为源，再与气相的氮源在高温下发生反应，在生成六方氮化硼的同时，磷元素取代氮化硼晶格中的氮元素，形成了磷等电子掺杂的六方氮化硼。磷元素的等电子掺杂属于浅能级，磷和氮电负性差异在六方氮化硼的二维晶格中形成了等电子陷阱，进而吸引电子与空穴局域在等电子杂质磷附近形成束缚态激子，其发光在深紫外区且发光效率大为增强，这极大地提升了BN二维纳米片层在深紫外区整体的发光性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 掺杂 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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