[发明专利]一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器在审
| 申请号： | 201811600161.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109525203A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蒋一帆 | 申请（专利权）人： | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/34;H03F3/68;H03G3/30 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 211111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，包括：输入匹配单元、共源共栅放大单元、输出匹配单元和反馈单元；输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元依次相连，反馈单元设置在输入匹配单元和输出匹配单元之间，利用集总的方式防止了远超工作带外的谐振可能性。本发明的中频放大器可以在30MHz‑200MHz的频段内实现>24dB的高增益；在整个微波射频频段内实现绝对稳定，而不需要添加额外片外稳定电路，简化了布版；在30MHz‑200MHz的频段内实现<1.5dB的噪声系数；尺寸仅为1000um*800um，非常方便集成在系统中或者相同单元级联使用。 | ||
| 搜索关键词： | 输出匹配单元 输入匹配单元 中频放大器 频段 反馈单元 放大单元 共源共栅 谐振 微波射频 稳定电路 依次相连 噪声系数 高增益 工作带 级联 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，其特征在于，包括：输入匹配单元、共源共栅放大单元、输出匹配单元和反馈单元；输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元依次相连，反馈单元设置在输入匹配单元和输出匹配单元之间。
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