[发明专利]基于硅霍尔效应的磁编码器芯片结构有效

专利信息
申请号: 201811600198.1 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109506681B 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 欧阳忠明;田剑彪 申请(专利权)人: 绍兴光大芯业微电子有限公司
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 312000*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种基于硅霍尔效应的磁编码器芯片结构,包括硅霍尔元件阵列(100),包括5个硅霍尔元件阵列;模式选择模块(200),用于选择正常工作模式和定位校准模式;模拟前端模块(300),用于检测和放大所述霍尔元件阵列产生的霍尔电压信号,同时把前端失调电压降到最低;模数转换模块(400),用于把各个通道的模拟霍尔电压信号转为数字信号;解调算法模块(500),用于计算和解调角度输出和进行应用端的安装定位校准。采用了该芯片结构,通过五霍尔阵列,结合内嵌的数字解调算法和定位校准算法,使最终探测和解调出来的角速度信号达到相对高的精度,同时方便了应用端的电机安装定位校准,从而提高了系统自动控制领域应用的电机控制精度。
搜索关键词: 基于 霍尔 效应 编码器 芯片 结构
【主权项】:
1.一种基于硅霍尔效应的磁编码器芯片结构,其特征在于,所述的芯片结构包括:硅霍尔元件阵列(100),包括第一硅霍尔元件(H0)、第二硅霍尔元件(H1)、第三硅霍尔元件(H2)、第四硅霍尔元件(H3)、第五硅霍尔元件(H4),其中,所述的第二硅霍尔元件(H1)、第三硅霍尔元件(H2)、第四硅霍尔元件(H3)、第五硅霍尔元件(H4)呈正方形对称分布,所述的第一硅霍尔元件(H0)位于正方形中间;模式选择模块(200),与所述的硅霍尔元件阵列(100)相连接,用于选择正常工作模式和定位校准模式;模拟前端模块(300),与所述的模式选择模块(200)相连接,用于检测和放大所述霍尔元件阵列产生的霍尔电压信号,同时把前端失调电压降到最低;模数转换模块(400),与所述的模拟前端模块(300)相连接,用于把各个通道的模拟霍尔电压信号转为数字信号;解调算法模块(500),与所述的模数转换模块(400)相连接,用于计算和解调角度输出和进行应用端的安装定位校准。
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