[发明专利]一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811600536.1 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109817807A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;张锐;郭璇;徐永康;孙松;朱小芹;邹华 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 高姗 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于微电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料及其制备方法，该薄膜材料由ZnSb薄膜层和SiO2薄膜层交替沉积复合而成，其中ZnSb薄膜层的厚度为1‑10nm，SiO2薄膜层的厚度为1‑10nm，ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料总厚度为2‑100nm。本发明制备的薄膜材料具有较好的热稳定性、较低的功耗和较快的相变速度，是理想的相变存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米相变薄膜材料 制备 薄膜材料 薄膜层 超晶格 微电子薄膜材料 相变存储材料 交替沉积 热稳定性 功耗 复合 | ||
【主权项】：
1.一种类超晶格ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料，其特征在于：其由ZnSb薄膜层和SiO2薄膜层交替沉积复合而成，其中ZnSb薄膜层的厚度为1‑10nm，SiO2薄膜层的厚度为1‑10nm，ZnSb/SiO2纳米相变薄膜材料总厚度为2‑100nm。
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