[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201811600676.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN110619917B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 具滋凡;池性洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其包括单元阵列，该单元阵列具有根据刷新单位而被划分的上区段和下区段。该半导体器件包括第一修复控制器，第一修复控制器被配置为基于处于第一电平的选择地址、熔丝地址、行地址和第二控制信号而输出用于控制上区段的修复操作的第一修复信号，并且基于熔丝地址、行地址和选择地址而产生用于控制下区段的修复操作的第一控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n单元阵列，其被配置为包括上区段和下区段，所述上区段和所述下区段根据预定的刷新操作单位来划分；以及/n第一修复控制器，其被配置为：基于处于第一电平的选择地址、熔丝地址、行地址和第二控制信号而输出用于控制所述上区段的修复操作的第一修复信号，以及基于所述熔丝地址、所述行地址和所述选择地址而产生用于控制所述下区段的修复操作的第一控制信号。/n
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