[发明专利]一种正向晶格失配三结太阳电池

摘要

本发明公开了一种正向晶格失配三结太阳电池，属于太阳能电池技术领域，自下而上依次包括：锗衬底、Ga_0.5In_0.5P成核层、Ga_0.99In_0.01As缓冲层、第一隧道结、晶格渐变缓冲层、Ga_1‑xIn_xAs电池、第二隧道结、(AlGa)_1‑yIn_yP电池和帽层；晶格渐变缓冲层为(AlGa)_1‑xIn_xAs/(AlGa)_1‑xIn_xAs DBR，In的组分从0.01渐变到x；Ga_1‑xIn_xAs电池包括n型掺杂的Ga_1‑yIn_yP发射区和p型掺杂的Ga_1‑xIn_xAs基区；(AlGa)_1‑yIn_yP电池包括n型掺杂的(AlGa)_1‑yIn_yP发射区和p型掺杂的(AlGa)_1‑yIn_yP基区。

主权项

1.一种正向晶格失配三结太阳电池，其特征在于：自下而上依次包括：锗衬底、Ga_0.5In_0.5P成核层、Ga_0.99In_0.01As缓冲层、第一隧道结、晶格渐变缓冲层、Ga_1‑xIn_xAs电池、第二隧道结、(AlGa)_1‑yIn_yP电池和帽层；其中：所述晶格渐变缓冲层为(AlGa)_1‑xIn_xAs/(AlGa)_1‑xIn_xAs DBR，In的组分从0.01渐变到x，其中0.01≤x≤0.5，使用p型掺杂剂，掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为1000nm～4000nm，周期数的范围为10～30个，每个周期中，(AlGa)_1‑xIn_xAs的厚度范围为30nm～300nm；所述Ga_1‑xIn_xAs电池包括n型掺杂的Ga_1‑yIn_yP发射区和p型掺杂的Ga_1‑xIn_xAs基区，其中0.01≤x≤0.5和0.4≤y≤1，掺杂浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为30nm～3000nm；所述(AlGa)_1‑yIn_yP电池包括n型掺杂的(AlGa)_1‑yIn_yP发射区和p型掺杂的(AlGa)_1‑yIn_yP基区，其中0.4≤y≤1，掺杂浓度为1×10¹⁶～1×10¹⁹cm^‑3，厚度范围为10nm～1000nm。