[发明专利]一种极高场核磁共振超导磁体有效
| 申请号： | 201811601119.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109712773B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 王耀辉;王秋良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01F6/00 | 分类号： | H01F6/00;H01F6/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种极高场核磁共振超导磁体，包括低温超导背场磁体、高温超导内插磁体和超导匀场线圈。所述的高温超导内插磁体插入低温超导背场磁体内部，高温超导内插磁体与低温超导背场磁体同心。低温超导背场磁体的磁场和高温超导内插磁体的磁场叠加，在中心区域产生极高强度磁场。超导匀场线圈置于低温超导背场磁体和高温超导内插磁体之间的空隙处。超导匀场线圈粘贴在高温超导内插磁体外周；超导匀场线圈、低温超导背场磁体和高温超导内插磁体同心。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极高 核磁共振 超导 磁体 | ||
【主权项】：
1.一种极高场核磁共振超导磁体，其特征在于：所述的极高场核磁共振超导磁体包括低温超导背场磁体、高温超导内插磁体和超导匀场线圈；所述的高温超导内插磁体插入低温超导背场磁体内部，高温超导内插磁体与低温超导背场磁体同心；低温超导背场磁体的磁场和高温超导内插磁体的磁场叠加，在中心区域产生极高强度磁场；超导匀场线圈置于低温超导背场磁体和高温超导内插磁体之间的空隙处；超导匀场线圈粘贴在高温超导内插磁体外周；超导匀场线圈、低温超导背场磁体和高温超导内插磁体同心。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811601119.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超导磁体氦进管绝缘处理方法
- 下一篇：一种超导磁体快速冷却方法及其系统
