[发明专利]基于MOSFET器件界面陷阱复合效应的温度测量方法在审
| 申请号： | 201811602848.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109696251A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 陈海峰 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，包括：测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生的复合电流的极值；根据复合电流的极值在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结正偏且MOSFET的源极悬浮时，此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态，此时MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生复合电流Ir由于增加了exp[Vd/Vt]指数项，因此在采用栅极电压Vg进行扫描过程中Ir变化更加明显，因此Ir对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化，同时探测范围大。 | ||
| 搜索关键词： | 界面陷阱 温度测量 复合电流 复合中心 栅极电压 漏极 探测 半导体器件技术 产生复合电流 温度对照表 复合效应 耗尽状态 漏极电压 扫描过程 沟道 源极 悬浮 测量 敏感 申请 | ||
【主权项】：
1.一种基于MOSFET器件界面陷阱复合效应的温度测量方法，其特征在于，包括：步骤1:测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生的复合电流的极值；步骤2:根据所述复合电流的极值在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度；其中，所述电流温度对照表通过以下步骤获取：步骤201：记录当前环境温度，测试当前环境下MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生的复合电流的极值；步骤202:改变当前环境温度，重复所述步骤201得到不同环境下对应的复合电流的极值;步骤203:根据环境温度与得到的复合电流的极值的对应关系，得到电流温度对照表。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安邮电大学，未经西安邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811602848.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
