[发明专利]能提高加工良率的IGBT器件在审
| 申请号： | 201811603145.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109473475A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 许生根;陈钱;牛博;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/417 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种能提高加工良率的IGBT器件，其包括半导体基板以及元胞区，半导体基板包括第一导电类型漂移区以第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；发射极多晶硅包括发射极第一多晶硅体以及发射极第二多晶硅体，发射极第一多晶硅体填充在发射极沟槽内，发射极第二多晶硅体位于发射极沟槽的槽口上方，发射极第二多晶硅体的宽度大于发射极第一多晶硅体的宽度，发射极金属层能直接与发射极第二多晶硅体欧姆接触或与发射极第二多晶硅体的侧壁接触，从而能实现发射极金属层与发射极多晶硅的欧姆接触，避免了现有工艺难度较大的制作工艺，降低了IGBT器件的加工难度，提高了IGBT器件的可加工能力，提高了IGBT器件的加工良率。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅体 发射极 良率 发射极多晶硅 发射极金属层 半导体基板 发射极沟槽 欧姆接触 元胞区 加工 第一导电类型 并联分布 侧壁接触 导电类型 工艺难度 加工能力 制作工艺 漂移区 槽口 基区 元胞 填充 | ||
【主权项】：
1.一种能提高加工良率的IGBT器件，包括半导体基板以及位于所述半导体基板中心的元胞区，所述半导体基板包括第一导电类型漂移区以及位于所述第一导电类型漂移区内上部的第二导电类型基区；元胞区包括若干呈并联分布的元胞；其特征是：每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽以及位于所述两相邻元胞沟槽之间的发射极沟槽，元胞沟槽、发射极沟槽均位于第二导电类型基区内，且元胞沟槽的槽底以及发射极沟槽的槽底均位于第二导电类型基区下方的第一导电类型漂移区内；在所述IGBT器件的截面上，还包括与发射极沟槽适配连接的发射极多晶硅，所述发射极多晶硅包括填充于发射极沟槽内的发射极第一多晶硅体以及位于所述发射极沟槽槽口外的发射极第二多晶硅体，发射极第二多晶硅体与发射极第一多晶硅体连接，且发射极第二多晶硅体的宽度大于发射极第一多晶硅体的宽度；发射极第一多晶硅体通过发射极氧化层与发射极沟槽的侧壁绝缘隔离，且发射极第二多晶硅体通过发射极氧化层与下方的第二导电类型基区绝缘隔离；在所述第二导电类型基区的上方设置发射极金属层，所述发射极金属层与发射极多晶硅以及第二导电类型基区欧姆接触。
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