[发明专利]降低晶体管的阈值电压的电路、放大器和NAND闪存有效
| 申请号： | 201811603314.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111367339B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 邵力;刘星 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低晶体管的阈值电压的电路、放大器和NAND闪存。该电路包括：反馈电路，反馈电路包括电压反馈输入端、第一衬底电压调整端和电压反馈输出端，电压反馈输入端与晶体管的第一端电连接，第一衬底电压调整端与晶体管的衬底端电连接；衬底电压调整电路，衬底电压调整电路包括第一基准电压输入端、比较电压输入端和第二衬底电压调整端，第一基准电压输入端与第一参考电压线电连接，比较电压输入端与电压反馈输出端电连接，第二衬底电压调整端与晶体管的衬底端电连接；衬底电压调整电路用于降低晶体管的衬底端的电压。本发明实现了采用较低的生产成本降低待调整晶体管的阈值电压的效果，提升了产品的竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 晶体管 阈值 电压 电路 放大器 nand 闪存 | ||
【主权项】：
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