[发明专利]一种选择性发射极、其制备方法和使用它的太阳能电池及其应用有效
| 申请号： | 201811603731.X | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109713064B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;袁中存;费正洪 | 申请（专利权）人： | 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性发射极、其制备方法和使用它的太阳能电池及其应用，所述选择性发射极的受光区的轻掺杂方阻与非受光区的重掺杂的方阻的差为定值，所述定值为40±10Ω/sq；制备选择性发射极可以提高开路电压、短路电流，降低死层效应，从而提高光转化效率；选择性发射极的制备方法价格低廉，产量高，工艺条件简单，易于操作，适用于工业化大规模生产应用；制备的太阳能电池具有较高的光转化效率，并且大大降低了生产成本，可作为能源电池应用于光伏领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 制备 方法 使用 太阳能电池 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种选择性发射极，其特征在于，所述选择性发射极的受光区的轻掺杂方阻与非受光区的重掺杂的方阻的差为定值，所述定值为40±10Ω/sq。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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