[发明专利]扇出型晶圆级封装方法在审
| 申请号： | 201811604438.5 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111370329A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 秦晓珊 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种扇出型晶圆级封装方法，包括：提供多个芯片，所述芯片具有正面和与所述正面相对的背面，且芯片内具有电连接结构，正面暴露出电连接结构表面；提供载板；将多个芯片临时键合于载板上，相邻芯片与载板之间围成塑封区；采用选择性喷涂处理，向所述塑封区喷洒塑封料，且对位于所述塑封区的塑封料进行固化处理，形成覆盖所述芯片侧壁的塑封层；在形成所述塑封层之后，进行解键合处理以去除所述载板；形成再布线结构，所述再布线结构与所述电连接结构之间电连接。本发明采用选择性喷涂处理的方式形成塑封层，有利于提高封装效果，改善封装结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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