[发明专利]一种湿法蚀刻用化学槽在审
| 申请号： | 201811604690.6 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109712914A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 唐秋菊 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 董晓盈 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法蚀刻用化学槽，包括：第一槽体，第一槽体具有刻蚀区，用于放置刻蚀件；刻蚀件承载部，设置于刻蚀区周围，具有至少一个沿第一方向排列的第一卡槽；转动部，设置于刻蚀区周围，设置有至少一个沿第一方向的第二卡槽；喷洒部，具有至少一个喷口，用于向刻蚀区喷洒刻蚀液。本发明的湿法蚀刻用化学槽通过转动部的转动带动竖立的刻蚀件沿刻蚀件中心轴转动，使喷洒部喷射的化学品均匀地喷射在转动的刻蚀件上，而不是刻蚀件待蚀刻面的固定区域，使得溢流对刻蚀件待蚀刻面所造成的流体形状更弱，刻蚀件蚀刻均匀性更好，解决了传统湿法化学槽造成关键尺寸、侧掏、金属掩膜层均匀性差等问题，提高了金属湿式蚀刻的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀件 化学槽 刻蚀 转动 湿法蚀刻 喷洒 第一槽 卡槽 喷射 蚀刻 金属掩膜层 蚀刻均匀性 中心轴转动 传统湿法 方向排列 固定区域 均匀性差 流体形状 湿式蚀刻 化学品 均匀性 刻蚀液 蚀刻面 竖立的 喷口 溢流 承载 金属 | ||
【主权项】：
1.一种湿法蚀刻用化学槽，其特征在于，所述化学槽包括：第一槽体，所述第一槽体具有刻蚀区，用于放置刻蚀件；刻蚀件承载部，设置于所述刻蚀区周围，具有至少一个沿第一方向排列的第一卡槽；转动部，设置于所述刻蚀区周围，设置有至少一个沿所述第一方向的第二卡槽；喷洒部，具有至少一个喷口，用于向所述刻蚀区喷洒刻蚀液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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