[发明专利]一种自旋轨道转矩磁阻式随机存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811604836.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109698267B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨美音;罗军;李彦如;杨腾智;许静;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，在磁阻隧道结中存在有缺陷，该缺陷由的离子注入工艺产生，且注入方向的投影与自旋轨道耦合层中电流方向不平行。这样，由于磁阻隧道结自身存在遮挡，离子注入后磁阻隧道结一侧缺陷会多于另一侧的缺陷，从而在垂直于电流源方向上形成不对称的磁阻隧道结，当自旋轨道耦合层中通入电流时，实现磁性层磁矩的定向翻转。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自旋 轨道 转矩 磁阻 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成自旋轨道耦合层以及所述自旋轨道耦合层之上的磁阻隧道结，所述磁阻隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、遂穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性；其中，所述磁阻隧道结中存在缺陷，所述缺陷由离子注入产生，所述离子注入时，暴露出磁阻隧道结，且注入方向与所述衬底的垂直方向具有夹角、所述注入方向在所述衬底上的投影与所述自旋耦合层中的电流方向为非平行。
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