[发明专利]一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811604954.8 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN109628882A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 刘明;蓝国华;沈律康 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;B82Y40/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及纳米结构薄膜材料领域,涉及一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜及其制备方法,包括以下步骤:采用脉冲激光沉积技术在基片上进行陶瓷靶材外延复合纳米薄膜的生长;所述陶瓷靶材为LiFe5O8:MgO陶瓷靶材;生长结束后,进行退火处理,最后降至室温,得到LF1MX复合纳米薄膜,其中LF1MX表示(LiFe5O8)1:(MgO)XX的数值范围是2~4;将LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相去除,得到具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术和材料自成核现象,制得LF1MX复合纳米薄膜,通过去除LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相,实现LiFe5O8纳米柱阵列的制备。本发明具有成本低,制备简单,同时获得形状规整的高质量纳米柱阵列的特点。
搜索关键词: 复合纳米薄膜 纳米柱阵列 制备 弯曲稳定性 陶瓷靶材 薄膜 脉冲激光沉积技术 去除 纳米结构薄膜 材料领域 退火处理 规整 生长
【主权项】:
1.一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用脉冲激光沉积技术在柔性基片上进行外延复合纳米薄膜的生长;其中,靶材采用LiFe5O8:MgO陶瓷靶材;生长结束后,进行退火处理,最后降至室温,得到LF1MX复合纳米薄膜,其中LF1MX表示(LiFe5O8)1:(MgO)XX的数值范围是2~4;将LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相刻蚀,得到具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811604954.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top