[发明专利]一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201811604954.8 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN109628882A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 刘明;蓝国华;沈律康 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/58;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及纳米结构薄膜材料领域,涉及一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜及其制备方法,包括以下步骤:采用脉冲激光沉积技术在基片上进行陶瓷靶材外延复合纳米薄膜的生长;所述陶瓷靶材为LiFe5O8:MgO陶瓷靶材;生长结束后,进行退火处理,最后降至室温,得到LF1MX复合纳米薄膜,其中LF1MX表示(LiFe5O8)1:(MgO)X,X的数值范围是2~4;将LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相去除,得到具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术和材料自成核现象,制得LF1MX复合纳米薄膜,通过去除LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相,实现LiFe5O8纳米柱阵列的制备。本发明具有成本低,制备简单,同时获得形状规整的高质量纳米柱阵列的特点。 | ||
搜索关键词: | 复合纳米薄膜 纳米柱阵列 制备 弯曲稳定性 陶瓷靶材 薄膜 脉冲激光沉积技术 去除 纳米结构薄膜 材料领域 退火处理 规整 生长 | ||
【主权项】:
1.一种具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:采用脉冲激光沉积技术在柔性基片上进行外延复合纳米薄膜的生长;其中,靶材采用LiFe5O8:MgO陶瓷靶材;生长结束后,进行退火处理,最后降至室温,得到LF1MX复合纳米薄膜,其中LF1MX表示(LiFe5O8)1:(MgO)X,X的数值范围是2~4;将LF1MX复合纳米薄膜中的MgO相刻蚀,得到具有弯曲稳定性的LiFe5O8纳米柱阵列薄膜。
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