[发明专利]一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法

摘要

本发明属于光伏行业太阳能电池领域，具体涉及一种P型单晶硅电池正面镀膜结构及其制备方法，包括制绒、扩散、刻蚀、正面沉积SiO₂层、背面镀膜、正面掩膜、正面沉积掺P多晶硅(n‑Si)、正面去除掩膜、正面沉积SiNx层、丝网印刷和金属化步骤，制成的P型单晶硅电池正面镀膜结构，在正面电极图形处多了一层的掺P多晶硅，该掺杂多晶硅层结合薄氧化层能对电池正面起到很好的遂穿效应，防止电池中的少子(空穴)向正表面迁移，且正面金属电极是与掺杂多晶硅层接触，避免了金属电极和硅基片直接接触导致的表面复合高的问题，提高电池Voc和Isc，从而有效地提高了电池转化效率。

主权项

1.一种P型单晶硅电池正面镀膜结构，包括晶硅正面膜，所述晶硅正面膜包括在所述P型单晶硅电池正面依次沉积的磷扩散层，SiO₂层，掺P多晶硅层，SiNx层，银电极栅线；其特征在于，掺P多晶硅层在银电极栅线处局部沉积，SiNx层整面沉积在最外层；其中，磷扩散层的上边缘呈直线形或波浪形；SiO₂层呈直线形或波浪形，且与磷扩散层的上边缘形状相同。