[发明专利]一种提升栅氧厚度均匀性的方法在审
申请号: | 201811607230.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109698141A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 沈耀庭;成鑫华;姜兰 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种提升栅氧厚度均匀性的方法,包括:提供一晶圆,晶圆上分布有多个栅氧膜量测位置;以晶圆的圆心为极点建立极坐标系,将晶圆表面划分为多个区域,每个区域对应极坐标的一个半径值;每个区域分布有至少一个栅氧膜量测位置;提供用于加热晶圆的卤素灯及多个控温探针;得到每个控温探针对应极坐标的半径值,并根据其半径值得到每个控温探针所对应的区域;提供标准厚度,并得到标准厚度下栅氧膜所需要的温度值,计算每个区域对应的栅氧膜平均厚度,然后计算与每个区域对应的栅氧膜需要调节的温度值。通过对应极坐标和测温探针物理位置,精确地计算温度补偿,能够有效地提升晶圆栅氧膜厚均匀度。 | ||
搜索关键词: | 栅氧 晶圆 区域对应 极坐标 控温 探针 厚度均匀性 膜量 膜厚均匀度 测温探针 极坐标系 晶圆表面 区域分布 温度补偿 物理位置 圆心 卤素灯 有效地 极点 下栅 氧膜 加热 | ||
【主权项】:
1.一种提升栅氧厚度均匀性的方法,其特征在于,该方法至少包括:步骤一、提供一晶圆,所述晶圆上分布有多个栅氧膜量测位置;步骤二、以所述晶圆的圆心为极点建立极坐标系,将所述晶圆表面划分为多个区域,每个区域对应所述极坐标的一个半径值;每个区域分布有至少一个所述栅氧膜量测位置;步骤三、提供用于加热晶圆的卤素灯及多个控温探针;得到每个控温探针对应所述极坐标的半径值,并根据其半径值得到每个控温探针所对应的区域;步骤四、提供标准厚度,并得到所述标准厚度下栅氧膜所需要的温度值,对每个栅氧膜量测位置进行膜厚量测并计算每个区域对应的栅氧膜平均厚度,然后计算与每个区域对应的栅氧膜需要调节的温度值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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