[发明专利]一种钝化接触结构及其在硅太阳电池中应用有效
| 申请号： | 201811607783.4 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109786476B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 曾俞衡;叶继春;闫宝杰;杨清;廖明墩;张志;黄玉清;郭雪琪;王志学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 周民乐 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钝化接触结构，包括钝化接触基体，至少一个表面上集成有硅化物薄膜，且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素，硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层。本发明的优点是硅化物薄膜层的带隙较大，减少短波长光的寄生吸收，提升太阳电池的短路电流，致密型高，热稳定性好，抑制爆膜和抗银浆烧蚀，电导率优良因此有利于保持良好的填充因子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 接触 结构 及其 太阳电池 应用 | ||
【主权项】：
1.钝化接触结构，包括钝化接触基体，其特征在于，至少一个表面上集成有硅化物薄膜，且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素，硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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