[发明专利]用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用

摘要

本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度，具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻90Ω/sq。经过预扩散，钝化接触基体表面形成了一定的表面掺杂，能带在表面已经产生程度的弯曲，提升了载流子的选择性和传输能力，降低接触电阻，也降低了对隧穿非晶硅、隧穿氧化硅或其他钝化隧穿层的厚度要求，同时也降低了对掺杂非晶硅的掺杂浓度依赖，降低了对新材料的功函数的过渡依赖，提升电池良品率。

主权项

1.用于钝化接触结构的预扩散片，其特征在于，包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层，掺杂预扩散层的掺杂物质扩散入钝化接触基体表面内不同深度，具有预扩散层的钝化接触结构的方阻>90Ω/sq。