[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质有效
| 申请号： | 201811608689.0 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994369B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 前田喜世彦;寺崎昌人;女川靖浩;宫仓敬弘;平野晃人;中川崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、及记录介质。本发明的课题为提高设置于衬底的表面的凹部内的、利用膜的填埋特性。半导体器件的制造方法包括：工序(a)，对设为第1温度的衬底供给含硅气体和含锗气体，以对形成于衬底的表面的凹部内进行填埋的方式形成无定形状态的硅锗膜；工序(b)，将衬底的温度从第1温度升温至高于第1温度的第2温度；和工序(c)，对设为第2温度的衬底供给含硅气体，在硅锗膜上形成硅膜，其中，在(c)中，一边形成硅膜，一边使作为其基底的硅锗膜结晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造方法，其包括下述工序：工序(a)，对设为第1温度的衬底供给含硅气体和含锗气体，以对形成于所述衬底的表面的凹部内进行填埋的方式形成无定形状态的硅锗膜；工序(b)，将所述衬底的温度从所述第1温度升温至高于所述第1温度的第2温度；和工序(c)，对设为所述第2温度的所述衬底供给含硅气体，在所述硅锗膜上形成硅膜，其中，在(c)中，一边形成所述硅膜，一边使作为其基底的所述硅锗膜结晶化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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