[发明专利]一种氧化镓表面载流子浓度调控的方法在审
| 申请号： | 201811608704.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109767990A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 穆文祥;贾志泰;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/477 | 分类号： | H01L21/477;H01L29/872 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化镓表面载流子浓度调控的方法，步骤如下：将氧化镓晶体在流动气氛中退火，所述的流动气氛为纯氧气气氛、氧气与氮气混合气氛、氧气与氩气混合气氛或空气气氛，所述的退火温度为700‑1300℃。本发明通过流动气氛退火处理的方法，实现氧化镓晶片表面载流子浓度的调控，在保证原有表面质量的情况下，可有效制作出载流子浓度与原本衬底不同的双层或者三层结构，从而满足高性能器件的制作需求。该方法无需气相外延，节省了时间和生产成本，具有简单、快捷、成本低、实用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 流动气氛 载流子 退火 表面载流子 浓度调控 氧气 氮气混合气氛 纯氧气气氛 高性能器件 氩气 混合气氛 晶片表面 空气气氛 气相外延 三层结构 退火处理 衬底 生产成本 调控 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓表面载流子浓度调控的方法，步骤如下：将氧化镓晶体在流动气氛中退火，所述的流动气氛为纯氧气气氛、氧气与氮气混合气氛、氧气与氩气混合气氛或空气气氛，所述的退火温度为700‑1300℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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