[发明专利]一种离子注入模型的参数提取方法在审
申请号: | 201811609198.8 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109753709A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 张泽龙 | 申请(专利权)人: | 苏州珂晶达电子有限公司;西安交通大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种离子注入模型的参数提取方法,其将蒙特卡罗仿真模型的数值仿真结果以注入深度‑离子浓度的形式导出得到散点数据,并形成曲线,针对单峰曲线,将其分为4段区域,并针对其中第一、二区域采用联合半高斯拟合,针对第三、四区域采用尾函数与联合半高斯函数的线性组合进行拟合;针对双峰曲线,将其分为5段区域,并针对第一、二、四、五区域采用联合半高斯函数拟合,针对第三区域采用两个联合半高斯函数的组合函数进行拟合,大大提高了离子注入模型的拟合精度。 | ||
搜索关键词: | 拟合 离子 高斯函数 参数提取 联合 蒙特卡罗仿真 数值仿真结果 单峰曲线 高斯拟合 双峰曲线 线性组合 组合函数 点数据 尾函数 导出 | ||
【主权项】:
1.一种离子注入模型的参数提取方法,其特征在于:其包括以下步骤,1)获取TCAD蒙特卡罗仿真模型的数值仿真结果;2)将所述数值仿真结果以注入深度‑离子浓度的形式导出得到散点数据(xi,N0(xi)),i=1,2,L,n,其中xi为注入深度,N0(xi)为对应的离子浓度;3)将所述散点数据形成曲线图;4)若所述曲线图是单峰曲线类型,则建立所述曲线图的拟合函数,即离子注入模型为其中,x表示器件深度,N(x)表示离子浓度;其中,Nm为注入离子浓度的峰值,Rm为Nm对应注入深度x的数值,xT1为第二分段点,k为权重系数且k>0;5)若所述曲线图是双峰曲线类型,则建立所述曲线图的拟合函数,即离子注入模型为其中,x表示器件深度,N(x)表示离子浓度;pi=[Nmi,ηi,Rmi,Li,αi],p3=[Nm2,η31,Rm2,L31,α31;Nm4,η32,Rm4,L32,α32];其中,xT1、xT2、xT4、xT5分别为第一、二、三、四分段点,且xTi=Rmi(i=1,2,4,5),Nmi为对应注入深度区域内注入离子浓度的峰值,Rmi为Nmi对应的注入深度x的数值;6)求解离子注入模型参数。
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