[发明专利]一种晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811609353.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109713125A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杨俊锋;赖伟升;丁明建;钟建平;庄彤;陆旭兵 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司;华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 代芳 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区大干*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种晶体管及其制备方法，本发明提供的晶体管，由下到上依次包括硅片、绝缘层、修饰层、有机半导体层和金属源漏电极层；所述绝缘层的材料为Al2O3、HfO2或ZrO2；所述修饰层的材料为含磷酸基的有机物。根据实施例的记载，本发明所述的晶体管的离子迁移率≥0.34cm2/(V·S)，电流开关比≥3×10‑4。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 绝缘层 修饰层 制备 半导体器件技术 金属源漏电极 有机半导体层 电流开关比 离子迁移率 含磷酸基 有机物 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，由下到上依次包括硅片、绝缘层、修饰层、有机半导体层和金属源漏电极层；所述绝缘层的材料为Al2O3、HfO2或ZrO2；所述修饰层的材料为含磷酸基的有机物。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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