[发明专利]一种半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811610412.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686663A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 乔夫龙;周利民;杨啸;许鹏凯;黄煜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，上述半导体结构包括衬底和位于衬底上的栅极，上述制造方法用于形成位于衬底上方的栅极。上述制造方法具体包括：提供衬底；在上述衬底上部形成凹槽；在上述衬底上沉积栅极层，上述栅极层包括从凹槽外部延伸至凹槽内部的两个台阶部；以及从上述凹槽的两端沿两个上述台阶部向凹槽中心刻蚀上述栅极层，以在上述凹槽内形成上述栅极，其中上述栅极的宽度小于上述凹槽的宽度。通过本发明所提供的制造方法能够简单、有效地在半导体衬底上形成特征尺寸较小、且可精确控制的栅极，从而满足日渐严苛的栅极尺寸要求。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体结构 栅极层 制造 台阶部 凹槽内部 凹槽中心 尺寸要求 有效地 刻蚀 沉积 半导体 外部 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，用于形成位于衬底上方的栅极，其特征在于，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底上部形成凹槽；在所述衬底上沉积栅极层，所述栅极层包括从凹槽外部延伸至凹槽内部的两个台阶部；以及从所述凹槽的两端沿两个所述台阶部向凹槽中心刻蚀所述栅极层，以在所述凹槽内形成所述栅极，其中所述栅极的宽度小于所述凹槽的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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