[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811611783.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109650326A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 季锋;刘琛;葛俊山;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括在第一衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成质量块；去除部分质量块形成第一凹槽；经由第一凹槽去除部分牺牲层形成到达第一衬底的表面的空腔；在质量块上形成第一键合区；形成保护膜，保护膜覆盖第一键合区、质量块与第一衬底的表面以及第一凹槽的侧壁；以及去除部分保护膜，其中，在去除保护膜的步骤中，位于第一凹槽的侧壁的保护膜、位于质量块与第一衬底相对的表面的保护膜以及位于第一衬底表面的保护膜因被质量块遮挡而被保留。该制造方法在去除保护膜的步骤中，清洁第一键合区上的保护膜，达到了提高封装质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 质量块 去除 衬底 键合区 牺牲层 制造 侧壁 保护膜覆盖 衬底表面 空腔 封装 遮挡 清洁 保留 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制造方法，包括：在第一衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成质量块；刻蚀所述质量块形成第一凹槽；经由所述第一凹槽去除部分所述牺牲层形成空腔；在所述质量块上形成第一键合区；形成保护膜，所述保护膜覆盖所述第一键合区、所述质量块与所述第一衬底的表面以及所述第一凹槽的侧壁；以及去除部分所述保护膜，其中，在去除所述保护膜的步骤中，位于所述第一凹槽的侧壁的所述保护膜、位于所述质量块与所述第一衬底相对的表面的所述保护膜以及位于所述第一衬底表面的所述保护膜因被所述质量块遮挡而被保留。
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