[发明专利]一种膜片式石墨烯MEMS微压传感器芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811612166.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109764998A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张琪;马鑫;同笑珊;赵玉龙;刘明杰;邵一苇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种膜片式石墨烯MEMS微压传感器芯片及其制备方法，包括：硅质基底、二氧化硅纳米薄膜、四个石墨烯薄膜电阻、硼玻璃、金属导线和焊盘；硅质基底的正面设置有二氧化硅纳米薄膜，二氧化硅纳米薄膜上设置有焊盘，硅质基底的背面键合有硼玻璃；硅质基底内设置有背腔；在二氧化硅纳米薄膜的应力集中处设置有四个石墨烯薄膜电阻；所述四个石墨烯薄膜电阻通过金属导线与焊盘相连接形成惠斯通全桥检测电路。本发明结构简单，制备方便，各个方向的灵敏度相同，对后端电路设计要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 二氧化硅纳米薄膜 硅质基 薄膜电阻 焊盘 制备 微压传感器 金属导线 膜片式 硼玻璃 芯片 惠斯通全桥 后端电路 检测电路 应力集中 正面设置 灵敏度 背腔 键合 背面 | ||
【主权项】：
1.一种膜片式石墨烯MEMS微压传感器芯片，其特征在于，包括：硅质基底(1)、二氧化硅纳米薄膜(2)、四个石墨烯薄膜电阻、硼玻璃(4)、金属导线(7)和焊盘(8)；硅质基底(1)的正面设置有二氧化硅纳米薄膜(2)，二氧化硅纳米薄膜(2)上设置有焊盘(8)，硅质基底(1)的背面键合有硼玻璃(4)；硅质基底(1)内设置有背腔(3)；在二氧化硅纳米薄膜(2)的应力集中处设置有四个石墨烯薄膜电阻；所述四个石墨烯薄膜电阻通过金属导线(7)与焊盘(8)相连接形成惠斯通全桥检测电路。
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