[发明专利]一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备有效
| 申请号： | 201811612257.7 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109686684B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 王力;金柱炫 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备，该方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，印记为装载硅晶圆时支撑杆与硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置。本发明实施例中，在硅晶圆完成外延沉积后，先调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，然后控制支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置，使支撑杆在装载硅晶圆与卸载硅晶圆时与硅晶圆接触的位置尽量一致，从而减少硅晶圆背面印记的面积，提高硅晶圆的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 加工 方法 控制 装置 外延 反应 设备 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的加工方法，其特征在于，所述方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811612257.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
