[发明专利]垂直双极晶体管在审
| 申请号： | 201811612378.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109979989A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 姜明吉;徐康一;朴容喜;白尚训;千健龙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张逍遥;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直双极晶体管 第一导电类型 导电类型 导电区 延伸 发射极 集电极 邻接 基底 | ||
【主权项】：
1.一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，第二导电类型与第一导电类型不同，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸，第一鳍包括位于其顶部的第一导电区，第一导电区具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二鳍，从第一阱延伸并与第一鳍间隔开，第二鳍包括位于其顶部的第二导电区，第二导电区具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三鳍，从第二阱延伸，第三鳍包括位于其顶部的第三导电区，第三导电区具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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